Технология компании Raytheon по изготовлению GaN микросхем готова для практического применения в аппаратах. В ходе проведения наземных тестов микросхемы показали высокие производительность и устойчивость к радиации (уровнем более 1 мрад) и воздействию тяжелыми частицами.