Вход на сайт

Просмотр новости

Найдите то, что Вас интересует

Сверхбыструю и надежную память новых поколений могут делать из урана

Дата публикации: 22-10-2026 11:22:00

В одном из материалов на основе урана, известном ученым еще с 60-х годов прошлого века, случайно обнаружили необычные магнитные свойства, способные обеспечить более быструю и надежную работу компьютерной памяти нового поколения


Основное содержимое страницы с новостью.

22 Октября 2026 14:22 22 Окт 2026 14:22 |

Сверхбыструю и надежную память новых поколений могут делать из урана

В одном из материалов на основе урана, известном ученым еще с 60-х годов прошлого века, случайно обнаружили необычные магнитные свойства, способные обеспечить более быструю и надежную работу компьютерной памяти нового поколения

Случайное открытие

В соединении урана, известном ученым еще с 1960-х гг., обнаружены необычные магнитные свойства, способные обеспечить более быструю и надежную работу компьютерной памяти, чем у современных устройств, пишет Scitechdaily.

В до сих пор практически не вызывавшем интереса ученых оксителлуриде урана (UOTe) физики из США случайно нашли структуру с повторяющемся, закрученным расположением атомов. Такой эффект известен как хиральность. Он влияет на движение электронов в кристалле, который получает необычное сочетание двух различных типов магнетизма. Это позволяет разработать передовые электронные и компьютерные запоминающие устройства.

Открытие стало возможно благодаря новым методам микроскопии. «Изначально я изучал этот материал по совершенно другой причине. Когда я исследовал его с помощью микроскопии высокого разрешения, я обнаружил естественную сверхструктуру, которую никто раньше не распознал», — сказал доктор Мэнке Лю (Mengke Liu), доцент кафедры физики Техасского университета в Далласе (США).

Двойной магнетизм

Лю изучал с атомным разрешением кристаллы, синтезированные доктором Шэн Раном (Sheng Ran), доцентом кафедры физики Вашингтонского университета в Сент-Луисе (США)..

technician700.jpg

Электроника нового поколения может получить память, одновременно обладающую преимуществами ферромагнетиков и антиферромагнетиков

Кристалл одновременно проявляет характеристики ферромагнетизма и антиферромагнетизма. В ферромагнитных материалах атомные магнитные моменты выравниваются, создавая общую намагниченность. В антиферромагнитных материалах соседние магнитные моменты направлены в противоположные стороны, обычно компенсируя друг друга, так что материал не имеет суммарной намагниченности.

«Нахождение единого материала, сочетающего в себе оба этих свойства, представляет фундаментальный интерес», — сказал Лю.

Исследовательская группа Гарвардского университета (штат Массачусетс, США) под руководством доктора Суян Сюй (Suyang Xu) параллельно изучила то же самое соединение. Потом научные группы сравнили результаты и, проведя дополнительные эксперименты, подтвердили наличие необычной атомной сверхструктуры.

Материал, сочетающий в себе два вида магнетизма, может открыть возможности для технологий магнитной памяти нового уровня. «Если эти преимущества удастся использовать, запоминающие устройства потенциально могут стать как быстрее, так и надежнее», — сказал Лю.

Новые перспективы для производства памяти

Сейчас в жестких дисках широко используется ферромагнитный способ сохранения информации. Ферромагнетики обладают, например, высокой емкостью. Антиферромагнитные материалы, как правило, менее чувствительны к внешним магнитным полям и могут обеспечивать более высокую скорость работы, чем ферромагнетики.

Активы МТС. Инфографика CNews

Активы МТС. Инфографика CNews

Кроме того, согласно вычислениям, сотни родственных оксителлуриду урана соединений могут содержать сопоставимые сверхрешеточные структуры и значительно расширить горизонты для исследований.

«Вместо того чтобы сосредотачиваться только на фундаментальном расположении атомов, мы теперь можем исследовать и более крупные сверхструктуры, которые могут влиять на поведение электронов», — отметил Лю.

Анна Любавина



Другие материалы рубрики

Схожие новости

#Наименование новостиТональностьИнформативностьДата публикации
1Сверхбыструю и надежную память новых поколений могут делать из урана08.1422-10-2026
2Получены материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего0018-03-2025
3Discovery of 'slow' electrons in 2D material could lead to new memory device015.2810-08-2026
4Улучшены свойства перспективного материала для мобильной связи нового поколения09.0723-09-2026
5Twisted magnets with memory - Study led by TU Darmstadt published in “Nature Communications”2714-07-2026
6Свойства уникального магнитного материала впервые изучены в России0002-07-2019
7Предложена новая оперативная память для компьютера0010-03-2025
8Томские ученые разработали материал для элементов ядерных реакторов нового поколения0011-06-2019
9Carbon nanotube foams reveal a new kind of mechanical memory07.0622-09-2026
10Ученые создали новый магнитный материал0004-03-2019

Классификация: Наука. Схожих патентов: 0. Схожих новостей: 10. Тональность: 0. Информативность: 8.14. Источник: www.cnews.ru.