Текст опубликован в личном блоге и его автор не имеет отношения к администрации сайта

Китайский производитель оперативной памяти CXMT сделал большой шаг в сторону достижения техпроцесса 1a DRAM и следующих за ним. В процессе уменьшения компонентов до нанометрового уровня изоляционные слои из диоксида кремния (SiO₂) становятся слишком тонкими, и ток проходит сквозь них посредством квантового туннелирования. CXMT берёт на вооружение технологию High-k Metal Gate (HKMG), используя оксид гафния (HfO₂). Диэлектрическая постоянная оксида гафния выше, что позволяет хранить больший заряд при том же напряжении.

Также HKMG меняет прежний поликремниевый затвор на специально разработанные металлические структуры. Это устраняет снижающую эффективность электрическую мёртвую зону.

Изображение: wccftech.com

В результате технология HKMG ограничивает утечку тока и связанные с этим потери тепловой энергии, повышая энергоэффективность и давая возможность увеличить скорость работы памяти. CXMT может применять её в своём техпроцессе G4 DRAM (1z) и есть вероятность, что компания перейдёт на более продвинутый техпроцесс 1a.

Есть сведения, что CXMT ведёт работу над техпроцессом G5 DRAM 15 нм. Также в настоящее время компания занимается опытным производством памяти HBM2E на техпроцессе G3 DRAM 18 нм. До конца года она планирует увеличить производственную мощность до 300 тысяч пластин ежемесячно вместо 200 тысяч пластин в настоящее время. К 2031 году CXMT ставит цель увеличить производственную мощность до 800 тысяч пластин в месяц.